碳化硅芯片的主要应用领域包括LED固态照明和高频器件。这种材料具有优异的特性，如带隙、漂移速度、击穿电压、热导率和耐高温性，比传统硅高出几倍。它在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波等电子应用领域，并且在航空航天、军工、核能等极端环境中具有不可替代的优势。
无压烧结碳化硅参数 | ||
项目 | 单位 | SiC |
体积密度 | g/m³ | 3.10 ~ 3.15 |
维氏硬度 | HY | 2500 |
洛氏硬度 | HRA | 94 |
显气孔率 | % | <0.2 |
抗压强度 | Mpa | > 3000 |
抗折强度 | Mpa | > 400 |
游离硅含量 | % | <0.1 |
纯度(%) | % | ≥ 99 |
弹性模量 | Gpa | 410 |
泊桑比 |
| 0.14 |
传热导系数 | Cal/cm.s.℃ | 0.30 |
热膨胀系数 | i/℃ | 4.3*10-6 |
关键字:
碳化硅镜
